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J-GLOBAL ID：200902087059527827   Reference number：91A0213290

High doped p-type GaAs grown by OMVPE.

OMVPE法による高濃度pタイプGaAsの成長

Author (4)： SHIMAZU MAKOTO (住友電気工業 基盤技研) ,  KIMURA HIROYA (住友電気工業 基盤技研) ,  KAMON KOICHI (住友電気工業 基盤技研) ,  SHIRAKAWA TSUGUO (住友電気工業 基盤技研)
Material： 電気化学協会大会講演要旨集
Volume： 57th  Page： 226  Publication year： Mar. 1990 
JST Material Number： Y0048A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： OMVPE ,  高濃度 ,  タイプ ,  GaAs ,  成長