Art

J-GLOBAL ID：200902088051329089   Reference number：91A0302889

A mathematical representation of a modified stagnation flow reactor for MOCVD applications.

MOCVDに応用するために改良したよどみ点流反応器の数学的表現

Author (2)： DILAWARI A H (Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts, USA) ,  SZEKELY J (Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 108  Issue： 3/4  Page： 491-498  Publication year： Feb. 1991 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (6)： MOCVD ,  応用 ,  よどみ点流 ,  反応器 ,  数学 ,  表現