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J-GLOBAL ID：200902089220374214   Reference number：91A0761221

Tungsten Oxide-Based Semiconductor Sensor Highly Sensitive to NO and NO₂.

NOおよびNO₂に対して高感度な酸化タングステン半導体センサ

Author (4)： AKIYAMA M (Kyushu Univ., Fukuoka) ,  TAMAKI J (Kyushu Univ., Fukuoka) ,  MIURA N (Kyushu Univ., Fukuoka) ,  YAMAZOE N (Kyushu Univ., Fukuoka)
Material： Chemistry Letters  (Chem Lett)
Issue： 9  Page： 1611-1614  Publication year： Sep. 1991 
JST Material Number： S0742A  ISSN： 0366-7022  CODEN： CMLTAG  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gas sensor ,...

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JST classification (2)： Chemical analysis of inorganic compounds  (CC07024R) ,  Analytical instruments  (CC02020S)

Reference (7)：

• 1) T. Inoue, K. Satake, A. Kobayashi, H. Ohkoshi, T. Nakahara, and T. Takeuchi, Digest of 12th Chem. Sens. Symp., 1991, 129.
• 2) G. Sberveglieri, S. Groppelli, P. Nelli, V. Lanto, H. Torvela, P. Romppainen, and P. Leppavuori, Sens. Actuators, B1, 79 (1990).
• 3) T. Ishihara, K. Shiokawa, K. Eguchi, and H. Arai, Sens. Actuators, 19, 259 (1989).
• 4) S. Yao, Y. Shimizu, N. Miura, and N. Yamazoe, Technical Digest of 10th Sens. Symp., 1991, 57.
• 5) T. A. Jones, B. Bott, and S. C. Thorpe, Sens. Actuators, 17, 467 (1989).

Terms in the title (5)： NO ,  NO2 ,  高感度 ,  酸化タングステン ,  半導体センサ