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J-GLOBAL ID：200902091502091759   Reference number：86A0349473

Femtosecond excitation of nonthermal carrier populations in GaAs quantum wells.

GaAs量子井戸の非熱的キャリア占有数のフェムト秒励起

Author (6)： KNOX W H (AT&T, New Jersey) ,  HIRLIMANN C (AT&T, New Jersey) ,  MILLER D A B (AT&T, New Jersey) ,  SHAH J (AT&T, New Jersey) ,  CHEMLA D S (AT&T, New Jersey) ,  SHANK C V (AT&T, New Jersey)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 56  Issue： 11  Page： 1191-1193  Publication year： Mar. 17, 1986 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Visible and ultraviolet spectra of semiconductors  (BM08083Y)

Terms in the title (6)： GaAs ,  量子井戸 ,  キャリア ,  占有数 ,  フェムト秒 ,  励起