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J-GLOBAL ID：200902091970111988   Reference number：88A0037061

Electronic promotion of silicon nitridation by alkali metals.

アルカリ金属によるシリコンの窒化の電子的促進

Author (6)： SOUKIASSIAN P (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  BAKSHI M H (Northern Illinois Univ., IL, USA) ,  STARNBERG H I (Northern Illinois Univ., IL, USA) ,  HURYCH Z (Northern Illinois Univ., IL, USA) ,  GENTLE T M (Dow Corning Corp., MI, USA) ,  SCHUETTE K P (Dow Corning Corp., MI, USA)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 59  Issue： 13  Page： 1488-1491  Publication year： Sep. 28, 1987 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Sodium ,...
Semi thesaurus term： valence band

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JST classification (2)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  Catalytic reactions(heterogeneous system)  (CB06100E)

Terms in the title (5)： アルカリ金属 ,  シリコン ,  窒化 ,  電子 ,  促進