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J-GLOBAL ID：200902091987706489   Reference number：88A0166455

Femtosecond hot-carrier energy relaxation in GaAs.

GaAsにおけるフェムト秒のホットキャリアエネルギー緩和

Author (4)： SCHOENLEIN R W (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  LIN W Z (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  IPPEN E P (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  FUJIMOTO J G (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 51  Issue： 18  Page： 1442-1444  Publication year： Nov. 02, 1987 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (4)： GaAs ,  フェムト秒 ,  ホットキャリア ,  エネルギー緩和