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J-GLOBAL ID：200902092667908500   Reference number：87A0208942

Carrier lifetime versus ion-implantation dose in silicon on sapphire.

サファイア上のけい素におけるキャリア寿命とイオン注入線量の関係

Author (3)： DOANY F E (IMB T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  GRISCHKOWSKY D (IMB T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  CHI C-C (IMB T.J. Watson Research Center, NY, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 50  Issue： 8  Page： 460-462  Publication year： Feb. 23, 1987 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： sapphire ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (5)： サファイア ,  けい素 ,  キャリア寿命 ,  イオン注入 ,  線量