Art

J-GLOBAL ID：200902092916595933   Reference number：91A0537923

Silicon-on-insulator“gate-all-around device”.

絶縁体上のシリコン「ゲート・オール・アラウンド・デバイス」

Author (5)： COLINGE J P (IMEC, Leuven, BEL) ,  GAO M H (IMEC, Leuven, BEL) ,  ROMANO-RODRIGUEZ A (IMEC, Leuven, BEL) ,  MAES H (IMEC, Leuven, BEL) ,  CLAEYS C (IMEC, Leuven, BEL)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1990  Page： 595-598  Publication year： 1990 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0537923&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 絶縁体 ,  シリコン ,  ゲート