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J-GLOBAL ID：200902093262803279   Reference number：90A0548793

Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air.

空気中で操作した走査トンネル顕微鏡による水素でパシベートしたシリコンの改質

Author (6)： DAGATA J A (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  SCHNEIR J (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  HARARY H H (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  EVANS C J (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  POSTEK M T (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  BENNETT J (National Inst. Standards and Technology, Maryland)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 56  Issue： 20  Page： 2001-2003  Publication year： May. 14, 1990 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electron microscopy ,...
Semi thesaurus term： STM

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JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： 空気中 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  水素 ,  パシベート ,  シリコン ,  改質