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J-GLOBAL ID：200902095340948877   Reference number：82A0253615

Enhancement of electron impact ionization in a superlattice: A new avalanche photodiode with a large ionization rate ratio.

超格子における電子衝撃イオン化の増大 : 大きなイオン化率比を有する新しいアバランシェフォトダイオード

Author (4)： CAPASSO F (Bell Lab., New Jersey) ,  TSANG W T (Bell Lab., New Jersey) ,  HUTCHINSON A L (Bell Lab., New Jersey) ,  WILLIAMS G F (Bell Lab., New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 40  Issue： 1  Page： 38-40  Publication year： Jan. 01, 1982 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： superlattice ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Photodetectors  (NC03083X)

Terms in the title (5)： 格子 ,  電子衝撃 ,  イオン化 ,  イオン化率 ,  アバランシェフォトダイオード