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J-GLOBAL ID：200902096047628015   Reference number：91A0331944

Charge carrier recombination centers in high-purity, dislocation-free, float-zoned silicon due to growth-induced microdefects.

高純度,無転位の浮遊ゾーン・シリコンにおける成長誘起ミクロ欠陥による電荷キャリヤ再結合中心

Author (3)： WANG T H (Solar Energy Research Inst., Colorado, USA) ,  CISZEK T F (Solar Energy Research Inst., Colorado, USA) ,  SCHUYLER T (Solar Energy Research Inst., Colorado, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 109  Issue： 1/4  Page： 155-161  Publication year： Feb. 1991 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： recombination center ,...
Semi thesaurus term： EBIC ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (10)： 高純度 ,  転位 ,  浮遊 ,  ゾーン ,  シリコン ,  成長 ,  誘起 ,  欠陥 ,  電荷 ,  キャリヤ再結合