Art

J-GLOBAL ID：200902096267550858   Reference number：89A0556288

A 1/f noise technique to extract the oxide trap density near the conduction band edge of silicon.

シリコンの伝導帯端近傍の酸化膜トラップ密度を得るための1/f雑音技術

Author (2)： JAYARAMAN R (Massachusetts Inst. Technology, MA) ,  SODINI C G (Massachusetts Inst. Technology, MA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 36  Issue： 9 Pt.1  Page： 1773-1782  Publication year： Sep. 1989 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： oxide film ,...
Semi thesaurus term： conduction band ,...

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JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (6)： シリコン ,  伝導帯 ,  近傍 ,  酸化膜 ,  トラップ密度 ,  雑音