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J-GLOBAL ID：200902097865479340   Reference number：81A0243748

半導体圧力センサの非線形特性の解析

Author (6)： NISHIHARA MOTOHISA (日立日立研) ,  SHIMADA SATOSHI (日立日立研) ,  YAMADA KAZUJI (日立日立研) ,  TANABE MASANORI (日立日立研) ,  MATSUOKA YOSHITAKA (日立那か工場) ,  YASUKAWA AKIO (日立機械研)
Material： 計測自動制御学会論文集  (Transactions of the Society of Instrument and Control Engineers)
Volume： 17  Issue： 2  Page： 274-279  Publication year： Apr. 1981 
JST Material Number： S0104A  ISSN： 0453-4654  CODEN： KJSRA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： semiconductor strain gauge ,...

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JST classification (2)： Piezoelectric devices  (NC03110I) ,  Measuring methods and instruments of force,work load,pressure,friction  (AD05050V)

Reference (14)：

• 1) C. S. Smith: Piezoresistance Effect in Germanium and Silicon, Phys. Rev., 94-1, 42/49 (1954)
• 2) W. P. Mason and R. N. Thurston: Use of Piezoresistive Materials in the Measurement of Displacement, Force and Torque, J. Acoust. Soc. Amer., 29-10, 1096/1101 (1957)
• 3) W. G. Pfann and R. N. Thurston: Semiconducting Stress Tranceducers Utilizing the Transeverse and Shear Piezoresistance Effects, J. Appl. Phys., 32-10, 2008/2019 (1961)
• 4) O. N. Tufte and E. L. Stelzer: Piezoresistive Properties of Silicon Diffused Layers, J. Appl. Phys., 34-2, 313/318 (1963)
• 5) D. R. Kerr and A. G. Milnes: Piezoresistance of Diffused Layers in Cubic Semiconductors, J. Appl. Phys., 34-4, 727/731 (1963)

Terms in the title (3)： 半導体圧力センサ ,  非線形特性 ,  解析