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J-GLOBAL ID：200902100194334377   Reference number：95A0469210

CMOS Scaling for High Performance and Low Power-The Next Ten Years.

高性能かつ低消費電力を指向するCMOSスケーリング 次の10年

Author (3)： DAVARI B (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  DENNARD R H (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  SHAHIDI G G (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
Material： Proceedings of the IEEE  (Proc IEEE)
Volume： 83  Issue： 4  Page： 595-606  Publication year： Apr. 1995 
JST Material Number： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： DRAM ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： 低消費電力 ,  CMOS ,  スケーリング