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J-GLOBAL ID：200902100307655981   Reference number：97A0625547

GaN Growth by Metallorganic Vapor Phase Epitaxy. A Comparison of Modeling and Experimental Measurements.

有機金属化合物気相エピタクシーによるGaN成長 モデリングと実測との比較

Author (4)： SAFVI S A (Univ. Wisconsin, Wisconsin, USA) ,  REDWING J M (Advanced Technol. Materials, Connecticut, USA) ,  TISCHLER M A (Advanced Technol. Materials, Connecticut, USA) ,  KUECH T F (Univ. Wisconsin, Wisconsin, USA)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 144  Issue： 5  Page： 1789-1796  Publication year： May. 1997 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： microelectronics ,...

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JST classification (3)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Salts  (CD01050V)

Terms in the title (6)： 有機金属化合物 ,  気相エピタクシー ,  GaN ,  成長 ,  モデリング ,  実測