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J-GLOBAL ID：200902100680759088   Reference number：02A0460738

The surface science of semiconductor processing: Gate oxides in the ever-shrinking transistor.

半導体加工の表面科学 縮小を続けるトランジスタにおけるゲート酸化物

Author (5)： WELDON M K (Bell Lab., Lucent Technol., NJ, USA) ,  QUEENEY K T (Smith Coll., MA, USA) ,  ENG J JR (Agere Systems, NJ, USA) ,  RAGHAVACHARI K (Agere Systems, NJ, USA) ,  CHABAL Y J (Agere Systems, NJ, USA)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 500  Issue： 1/3  Page： 859-878  Publication year： Mar. 10, 2002 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *microelectronics ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (5)： 半導体加工 ,  表面科学 ,  縮小 ,  トランジスタ ,  ゲート酸化物