Art

J-GLOBAL ID：200902100767435971   Reference number：98A0340780

Self organized defect free InAs/GaAs and InAs/InGaAs/GaAs quantum dots with high lateral density grown by MOCVD.

MOCVD法で成長した高い側部密度を持つ自己組織化欠陥なしのInAs/GaAsとInAs/InGaAs/GaAs量子ドット

Author (5)： HEINRICHSDORFF F (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  KROST A (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  BIMBERG D (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  KOSOGOV A O (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  WERNER P (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 123/124  Page： 725-728  Publication year： Jan. 1998 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0340780&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (10)： MOCVD ,  成長 ,  側部 ,  密度 ,  自己組織化 ,  欠陥 ,  InAs ,  GaAs ,  InGaAs ,  量子ドット