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J-GLOBAL ID：200902101053947444   Reference number：97A1045041

Electrical properties of B-doped homoepitaxial diamond(001) film.

Bをドープしたホモエピタキシャルなダイヤモンド(001)膜の電気的性質

Author (8)： KIYOTA H (Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN) ,  MATSUSHIMA E (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SATO K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ANDO T (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  TANAKA J (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  KAMO M (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  SATO Y (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 6  Issue： 12  Page： 1753-1758  Publication year： Dec. 1997 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： diamond ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： ドープ ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド ,  電気的性質