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J-GLOBAL ID：200902101508167388   Reference number：01A0271099

A new method of reducing dislocation density in GaN layer grown on sapphire substrate by MOVPE.

MOVPE法によりサファイヤ基板上に成長したGaN層の転位密度を減少させる新しい方法

Author (4)： SAKAI S (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  WANG T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  MORISHIMA Y (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  NAOI Y (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 221  Page： 334-337  Publication year： Dec. 2000 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (5)： MOVPE ,  サファイヤ基板 ,  成長 ,  GaN ,  転位密度