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J-GLOBAL ID：200902101655451725   Reference number：98A0403329

Phase separation in InGaN/GaN multiple quantum wells.

InGaN/GaN多重量子井戸における相分離

Author (6)： MCCLUSKEY M D (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  ROMANO L T (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  KRUSOR B S (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  BOUR D P (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  JOHNSON N M (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  BRENNAN S (Stanford Synchrotron Radiation Lab., California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 72  Issue： 14  Page： 1730-1732  Publication year： Apr. 06, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  相分離