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J-GLOBAL ID：200902101732054211   Reference number：97A0247041

Selective-area regrowth of GaN field emission tips.

GaN電界放出チップの選択再成長

Author (6)： UNDERWOOD R D (Univ. California, CA, USA) ,  KAPOLNEK D (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER B P (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA)
Material： Solid-State Electronics  (Solid-State Electron)
Volume： 41  Issue： 2  Page： 243-245  Publication year： Feb. 1997 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： field emission ,...

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JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (3)： GaN ,  電界放出 ,  再成長