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J-GLOBAL ID：200902101795548249   Reference number：99A0353231

Photo- and electroluminescence in the 1.3-μm wavelength range from quantum-dot structures grown on GaAs substrates.

GaAs基板上に成長させた量子ドット構造による1.3μm波長領域の光及びエレクトロルミネセンス

Author (9)： ZHUKOV A E (A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  KOVSH A R (A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  EGOROV A YU (A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  MALEEV N A (A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  USTINOV V M (A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  VOLOVIK B V (A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  MAKSIMOV M V (A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  TSATSUL'NIKOV A F (A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  ALFEROV ZH I (A. F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
Material： Semiconductors  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
Volume： 33  Issue： 2  Page： 153-156  Publication year： Feb. 1999 
JST Material Number： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： GaAs基板 ,  成長 ,  量子ドット ,  M波 ,  エレクトロルミネセンス