Art

J-GLOBAL ID：200902102347475245   Reference number：02A0437617

Dislocation-free formation of relaxed SiGe-on-insulator layers.

緩和した絶縁体上SiGe層の無転位形成

Author (4)： TEZUKA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGIYAMA N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KAWAKUBO T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 80  Issue： 19  Page： 3560-3562  Publication year： May. 13, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： structural relaxation ,...
Semi thesaurus term： lattice relaxation ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (4)： 緩和 ,  絶縁体 ,  SiGe ,  転位