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J-GLOBAL ID：200902102734971412   Reference number：98A0924973

Effects of Doping in the Active Region of 630-nm Band GaInP-AlGaInP Tensile-Strained Quantum-Well Lasers.

630-nm帯GaInP-AlGaInP引っ張りひずみ量子井戸レーザの活性領域ドーピングの効果

Author (2)： YEN S T (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE C-P (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
Material： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE J Quantum Electron)
Volume： 34  Issue： 9  Page： 1644-1651  Publication year： Sep. 1998 
JST Material Number： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium compound ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (6)： GaInP ,  AlGaInP ,  引っ張りひずみ ,  量子井戸レーザ ,  活性領域 ,  ドーピング