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J-GLOBAL ID：200902103029646304   Reference number：00A0382677

Crystallization of Anrorphous GeSe₂ Semiconductor by Isothermal Annealing without Light Radiation.

光照射を用いない等温アニーリングによる非晶質GeSe₂半導体の結晶化

Author (6)： SAKAI K (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  YOSHINO K (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  FUKUYAMA A (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  YOKOYAMA H (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  IKARI T (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  MAEDA K (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 3A  Page： 1058-1061  Publication year： Mar. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： annealing (heat treatment) ,...

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JST classification (1)： Solid phase transitions  (BL04020G)

Reference (11)：

• 1) J. E. Griffiths, G. P. Espinosa, J. P. Remeika and J. C. Phillips: Solid State Commun. 40 (1981) 1077.
• 2) G. Dittmar and H. Schafer: Acta Cryst. B 32 (1976) 2726.
• 3) K. Inoue, O. Matsuda and K. Murase: Solid State Commun. 79 (1991) 905.
• 4) K. Inoue, K. Kawamoto and K. Murase: J. Non-Cryst. Solids <B>95&96</B> (1987) 517.
• 5) E. Haro, Z. S. Xu, J. -F. Morhange, M. Balkanski, G. P. Espinosa and J. C. Philips: Phys. Rev. B 32 (1985) 969.

Terms in the title (5)： 光照射 ,  アニーリング ,  非晶質 ,  GeSe2 ,  結晶化