Art

J-GLOBAL ID：200902103320790544   Reference number：97A0079611

Schottky barriers and contact resistances on p-type GaN.

p型GaNのSchottky障壁と接触抵抗

Author (9)： MORI T (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KOZAWA T (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  OHWAKI T (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  TAGA Y (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  NAGAI S (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  YAMASAKI S (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  ASAMI S (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  SHIBATA N (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  KOIKE M (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 69  Issue： 23  Page： 3537-3539  Publication year： Dec. 02, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (3)： GaN ,  Schottky障壁 ,  接触抵抗