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J-GLOBAL ID：200902104411270930   Reference number：98A0854047

A Novel Step Stack NOR Cell for Low Voltage Flash.

低電圧フラッシュメモリ用の新しいステップ状スタックNORセル

Author (8)： OGURA S (Halo LSI Inc., NY, USA) ,  HORI A (Matsushita Electronics Corp.) ,  KATO J (Matsushita Electronics Corp.) ,  ODANAKA S (Matsushita Electronics Corp.) ,  AKAMATSU K (Matsushita Electronics Corp.) ,  YAMANAKA M (Matsushita Electronics Corp.) ,  KOJIMA M (Matsushita Electric Ind. Co.) ,  KOTANI H (Matsushita Electric Ind. Co.)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 1998  Page： 106-107  Publication year： 1998 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *EPROM ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 低電圧 ,  フラッシュメモリ ,  スタック ,  セル