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J-GLOBAL ID：200902104730450925   Reference number：95A0757097

Radiative recombination in type-II GaSb/GaAs quantum dots.

タイプIIのGaSb/GaAs量子ドットにおける放射再結合

Author (9)： HATAMI F (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  LEDENTSOV N N (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  GRUNDMANN M (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  BOEHRER J (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  RUVIMOV S S (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  WERNER P (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  RICHTER U (Naturwissenschaft und Medizin, Halle, DEU) ,  KOP'EV P S (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN) ,  ALFEROV ZH I (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 5  Page： 656-658  Publication year： Jul. 31, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium antimonide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： タイプ ,  GaSb ,  GaAs ,  量子ドット ,  放射再結合