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J-GLOBAL ID：200902104981654465   Reference number：00A0277101

High-purity cubic GaN grown on a AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy.

Author (4)： KIMURA R (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  GOTOH Y (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  MATSUZAWA T (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  TAKAHASHI K (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 209  Issue： 2/3  Page： 382-386  Publication year： Feb. 2000 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (2)： GaN ,  AlGaAs