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J-GLOBAL ID：200902104997362804   Reference number：01A0201302

Influences of temperature ramping rate on GaN buffer layers and subsequent GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.

有機金属化学気相蒸着により成長したGaNバッファ層と引続くGaN被覆層におよぼす昇温速度の影響

Author (5)： WUU D-S (Da-Yeh Univ., Chang-Hwa, TWN) ,  HORNG R-H (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  TSENG W-H (Da-Yeh Univ., Chang-Hwa, TWN) ,  LIN W-T (Da-Yeh Univ., Chang-Hwa, TWN) ,  KUNG C-Y (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 220  Issue： 3  Page： 235-242  Publication year： Dec. 2000 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 有機金属化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  GaN ,  バッファ層 ,  被覆層 ,  昇温速度