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J-GLOBAL ID：200902105045576068   Reference number：03A0522043

Preparation of High Quality Silicon Based Amorphous Semiconductor Films.

高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の作製法の開発

Author (3)： MOTOHASHI MITSUYA (東京電機大 工) ,  HONMA KAZUAKI (東京電機大 工) ,  SOE KUMI (東京電機大 工)
Material： 東京電機大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute for Science and Technology, Tokyo Denki University)
Issue： 21  Page： 81-86  Publication year： Jul. 23, 2002 
JST Material Number： L0877A  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： semiconductor thin film ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Methane

Terms in the title (6)： 高品質 ,  シリコン ,  アモルファス ,  半導体薄膜 ,  作製法 ,  開発