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J-GLOBAL ID：200902105201433698   Reference number：95A0782524

Fabrication of (001) InP-based 1.55-μm wavelength lasers on a (110) GaAs substrate by direct bonding (A prospect for free-orientation integration).

直接接着による(110)GaAs上の(001)InP基1.55μm波長レーザの作製 自由方位集積化の展望

Author (4)： OKUNO Y (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  AOKI M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TSUCHIYA T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  UOMI K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 6  Page： 810-812  Publication year： Aug. 07, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： GaAs ,  InP ,  M波 ,  レーザ ,  作製 ,  方位 ,  集積化 ,  展望