Art

J-GLOBAL ID：200902105401070832   Reference number：96A0668964

Scanning Tunneling Microscopy/Scanning Tunneling Spectroscopy Observation of III-V Compound Semiconductor Nanostructures.

III-V化合物半導体ナノ構造の走査型トンネル顕微鏡/走査型トンネル分光観察

Author (5)： NOH J-H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIM S-J (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAKEMOTO M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 35  Issue： 6B  Page： 3743-3748  Publication year： Jun. 1996 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0668964&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Reference (12)：

• GOMYO, A. Appl. Phys. Lett. 1987, 50, 673
• ASAHI, H. Appl. Surf. Sci. 1994, 75, 242
• SALEMINK, H. J. Vac. Sci. & Technol. 1991, B9, 779
• ZHENG, J. F. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 2414
• BRESSLER-HILL, V. Phys. Rev. 1994, B50, 8479

Terms in the title (5)： III-V化合物半導体 ,  ナノ構造 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  走査型トンネル分光 ,  観察