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J-GLOBAL ID：200902105527114304   Reference number：97A0320369

Narrow Photoluminescence Line Width of Closely Stacked InAs Self-Assembled Quantum Dot Structures.

最密堆積InAs自己集合量子ドット構造の狭い光ルミネセンス線幅

Author (6)： SUGIYAMA Y (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN) ,  NAKATA Y (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  FUTATSUGI T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SUGAWARA M (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  AWANO Y (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN) ,  YOKOYAMA N (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 36  Issue： 2A  Page： L158-L161  Publication year： Feb. 01, 1997 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium arsenide ,...

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (22)：

• 1) U. Bockelmann and G. Bastard: Phys. Rev. B 42 (1990) 8947
• 2) H. Benisty, C. M. Sottomayor-Torres and C. Weisbuch: Phys. Rev. B 44 (1991) 10945
• 3) T. Inoshita and H. Sakaki: Phys. Rev. B 46 (1992) 7260
• 4) Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 939
• 5) K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai and K. Seki: IEEE Trans. Electron Devices 41 (1994) 1628.

Terms in the title (6)： 堆積 ,  InAs ,  自己集合 ,  量子ドット ,  光ルミネセンス ,  線幅