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J-GLOBAL ID：200902106845397826   Reference number：97A0247024

Low resistance ohmic contact to n-GaN with a separate layer method.

分離した層の方法による,n-GaNへの低抵抗おOhm接触

Author (8)： WU Y-F (Univ. California, CA, USA) ,  JIANG W-N (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER B P (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  KAPOLNEK D (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA) ,  WILSON B (Hughes Res. Lab., CA, USA)
Material： Solid-State Electronics  (Solid-State Electron)
Volume： 41  Issue： 2  Page： 165-168  Publication year： Feb. 1997 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ohmic contact ,...
Semi thesaurus term： titanium nitride

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (4)： 層 ,  GaN ,  低抵抗 ,  Ohm接触