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J-GLOBAL ID：200902106918270889   Reference number：99A0126519

Random Dopant Induced Threshold Voltage Lowering and Fluctuations in Sub-0.1μm MOSFET’s: A 3-D “Atomistic” Simulation Study.

サブ0.1μMOSFET’sにおけるランダムドーパント誘起によるしきい値電圧低下及びゆらぎ 三次元の“原子論的”シミュレーション研究

Author (1)： ASENOV A (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 45  Issue： 12  Page： 2505-2513  Publication year： Dec. 1998 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： サブ ,  MOSFET ,  ドーパント ,  誘起 ,  しきい値電圧 ,  ゆらぎ ,  シミュレーション ,  研究