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J-GLOBAL ID：200902107342634860   Reference number：95A0028876

Reactive ion etching of gallium nitride using hydrogen bromide plasmas.

臭化水素プラズマを用いた窒化ガリウムの反応性イオンエッチング

Author (4)： PING A T (Univ. Illinois, IL, USA) ,  ADESIDA I (Univ. Illinois, IL, USA) ,  ASIF KHAN M (APA Optics, Inc., MN, USA) ,  KUZNIA J N (APA Optics, Inc., MN, USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 30  Issue： 22  Page： 1895-1897  Publication year： Oct. 27, 1994 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： RIE ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 臭化水素 ,  プラズマ ,  窒化ガリウム ,  反応性イオンエッチング