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J-GLOBAL ID：200902107874542840   Reference number：01A0568435

Characterization of free-standing hydride vapor phase epitaxy GaN.

自立型水素化物気相エピタクシーGaNの特性評価

Author (9)： JASINSKI J (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  SWIDER W (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  LILIENTAL-WEBER Z (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  VISCONTI P (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  JONES K M (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  RESHCHIKOV M A (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  YUN F (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  MRKOC H (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  LEE K Y (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon, KOR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 78  Issue： 16  Page： 2297-2299  Publication year： Apr. 16, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 自立 ,  水素化物気相エピタクシー ,  GaN ,  特性評価