Art

J-GLOBAL ID：200902108164961076   Reference number：01A0830283

Low-temperature formation of silicon nitride gate dielectrics by atomic-layer deposition.

原子層蒸着による窒化けい素ゲート誘電体の低温形成

Author (4)： NAKAJIMA A (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  YOSHIMOTO T (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  KIDERA T (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  YOKOYAMA S (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 5  Page： 665-667  Publication year： Jul. 30, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon nitride ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0830283&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 原子層蒸着 ,  窒化けい素 ,  ゲート誘電体 ,  低温形成