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J-GLOBAL ID：200902108422053600   Reference number：96A0429461

Low Temperature Poly-Si Thin-Film Transistor Fabrication by Metal-Induced Lateral Crystallization.

金属-誘発横方向結晶化による低温ポリシリコン薄膜トランジスタの製作

Author (2)： LEE S-W (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JOO S-K (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 17  Issue： 4  Page： 160-162  Publication year： Apr. 1996 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thin film transistor ,...
Semi thesaurus term： MILC

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： 誘発 ,  横方向 ,  結晶化 ,  低温ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  製作