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J-GLOBAL ID：200902108684829065   Reference number：95A0141548

Lattice relaxation of AlGaAs layers grown on GaAs(100) substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy.

GaAs(100)基板上に有機金属気相エピタクシーによって成長させたAlGaAs層の格子緩和

Author (6)： FUKE S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SANO K (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KUWAHARA K (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TAKANO Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SATO M (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  IMAI T (Meisei Univ., Ome, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 77  Issue： 1  Page： 420-422  Publication year： Jan. 01, 1995 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： structural relaxation ,...
Semi thesaurus term： lattice relaxation ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： GaAs ,  有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  AlGaAs ,  格子緩和