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J-GLOBAL ID：200902108715318706   Reference number：03A0050099

Crystalline and Ferroelectric Properties of Pb(Zr,Ti)O₃ Thin Films Grown by Low-Temperature Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

低温での有機金属化学気相成長により成長させたPb(Zr,Ti)O₃薄膜の結晶特性および強誘電特性

Author (4)： SHIMIZU M (Himeji Inst. Technol., Hyogo, JPN) ,  OKANIWA M (Himeji Inst. Technol., Hyogo, JPN) ,  FUJISAWA H (Himeji Inst. Technol., Hyogo, JPN) ,  NIU H (Himeji Inst. Technol., Hyogo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 41  Issue： 11B  Page： 6686-6689  Publication year： Nov. 30, 2002 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ferroelectrics ,...
Semi thesaurus term： *PZT

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JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (18)：

• 1) K. Amanuma, S. Kobayashi, T. Tastumi, Y. Maejima, H. Hada, J. Yamada, T. Miwa, H. Koike, H. Toyoshima and K. Kunio: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 2098.
• 2) K. Kashihara, T. Okudaira, H. Itoh and H. Abe: VLSI Tech. Symp. Tech. Dig. (1993) p. 49.
• 3) M. Shimizu, M. Fujimoto, T. Katayama, T. Shiosaki, K. Nakaya, M. Fukagawa and E. Tanikawa: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 310 (1993) 255.
• 4) K. Amanuma, T. Tatsumi, Y. Maejima, S. Takahashi, H. Hada, H. Okizaki and T. Kunio: Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. (1998) 363.
• 5) M. Shimizu, T. Katayama, T. Shiosaki and A. Kawabata: Proc. 7th IEEE Int. Symp. Applications of Ferroelectrics, Urbana-Champaign, 1990 (IEEE Service Center, Piscataway, 1990) p. 669.

Terms in the title (11)： 低温 ,  有機金属化学 ,  気相成長 ,  成長 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  薄膜 ,  結晶 ,  強誘電特性