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J-GLOBAL ID：200902108770617933   Reference number：98A0426448

CMOS Active Pixel Image Sensors Fabricated Using a 1.8-V, 0.25μm CMOS Technology.

1.8V,0.25μmCMOS技術を使用して作製したCMOS能動画素イメージセンサ

Author (4)： WONG H-S P (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  CHANG R T (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  CRABBE E (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  AGNELLO P D (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 45  Issue： 4  Page： 889-894  Publication year： Apr. 1998 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *image sensor ,...

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JST classification (2)： Image pickup and picture recording equipment  (ND12032E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 作製 ,  CMOS ,  画素 ,  イメージセンサ