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J-GLOBAL ID：200902108806306964   Reference number：02A0631704

Why is Nonvolatile Ferroelectric Memory Field-Effect Transistor Still Elusive?

なぜ不揮発性強誘電体メモリ電界効果トランジスタは未だに達成困難か?

Author (2)： MA T P (Yale Univ., CT, USA) ,  HAN J-P (Yale Univ., CT, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 23  Issue： 7  Page： 386-388  Publication year： Jul. 2002 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ferroelectrics ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 不揮発性 ,  強誘電体メモリ ,  電界効果トランジスタ