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J-GLOBAL ID：200902109185505514   Reference number：03A0063641

Migration energies of point defects during electron irradiation of hydrogenated Si crystals.

水素化Si結晶の電子照射中,点欠陥の移動エネルギー

Author (6)： SUEZAWA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKADA Y (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  TAMANO T (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  TANIGUCHI R (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  HORI F (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  OSHIMA R (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 66  Issue： 15  Page： 155201.1-155201.6  Publication year： Oct. 15, 2002 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (4)： 水素化 ,  Si結晶 ,  電子照射 ,  点欠陥