Art

J-GLOBAL ID：200902109943063749   Reference number：97A0247045

GaN epitaxial growth on neodium gallate substrates.

NEODIUM GALLATE基板上のGaNエピタキシャル成長

Author (5)： OKAZAKI H (Japan Energy Corp., Saitama, JPN) ,  ARAKAWA A (Japan Energy Corp., Saitama, JPN) ,  ASAHI T (Japan Energy Corp., Saitama, JPN) ,  ODA O (Japan Energy Corp., Saitama, JPN) ,  AIKI K (Japan Energy Corp., Saitama, JPN)
Material： Solid-State Electronics  (Solid-State Electron)
Volume： 41  Issue： 2  Page： 263-266  Publication year： Feb. 1997 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： substrate (plate) ,...
Semi thesaurus term： neodium gallate ,...

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JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (2)： GaN ,  エピタキシャル成長