Art

J-GLOBAL ID：200902110103340219   Reference number：97A0008676

Gas source molecular beam epitaxy of β-SiC on Si substrates.

Si基板上のβ-SiCのガスソース分子ビームエピタクシー

Author (8)： ZEKENTES K (Foundation for Res. and Technol. Hellas, Heraklion, GRC) ,  BECOURT N (Foundation for Res. and Technol. Hellas, Heraklion, GRC) ,  ANDROULIDAKI M (Foundation for Res. and Technol. Hellas, Heraklion, GRC) ,  TSAGARAKI K (Foundation for Res. and Technol. Hellas, Heraklion, GRC) ,  STOEMENOS J (Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC) ,  BLUET J M (GES, CNRS, Montpellier, FRA) ,  CAMASSEL J (GES, CNRS, Montpellier, FRA) ,  PASCUAL J (Univ. Autonoma de Barcelona)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 102  Page： 22-27  Publication year： Aug. 1996 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： gas-source MBE

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： Si基板 ,  SiC ,  ガスソース分子ビームエピタクシー