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J-GLOBAL ID：200902110238214671   Reference number：00A0897557

NBTI enhancement by nitrogen incorporation into ultrathin gate oxide for 0.10-μm gate CMOS generation.

0.10μmゲート長CMOS世代のための超薄ゲート酸化膜中への窒素取込によるNBTI増大

Author (7)： KIMIZUKA N (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAGUCHI K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  IMAI K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  IIZUKA T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  LIU C T (Bell Lab., NJ) ,  KELLER R C (Bell Lab., NJ) ,  HORIUCHI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 2000  Page： 92-93  Publication year： 2000 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *CMOS structure ,...
Semi thesaurus term： ゲート酸化膜 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： ゲート長 ,  CMOS ,  世代 ,  ゲート酸化膜 ,  窒素 ,  取込 ,  NBTI