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J-GLOBAL ID：200902110693643610   Reference number：98A0108234

Novel AlN/GaN insulated gate heterostructure field effect transistor with modulation doping and one-dimensional simulation of charge control.

新規な変調ドープAlN/GaN絶縁ゲートヘテロ構造電界効果トランジスタと電荷制御の一次元シミュレーション

Author (2)： IMANAGA S (Sony Corp. Res. Center, Yokohama-shi, JPN) ,  KAWAI H (Sony Corp. Res. Center, Yokohama-shi, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 82  Issue： 11  Page： 5843-5858  Publication year： Dec. 01, 1997 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (9)： 変調ドープ ,  AlN ,  GaN ,  絶縁 ,  ゲート ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  電荷 ,  シミュレーション