Art

J-GLOBAL ID：200902110775721075   Reference number：00A0710533

Control of self-assembling formation of nanometer silicon dots by low pressure chemical vapor deposition.

低圧化学蒸着によるナノメータスケールのシリコンドットの自己集合形成の制御

Author (5)： MIYAZAKI S (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HAMAMOTO Y (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  YOSHIDA E (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  IKEDA M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HIROSE M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 369  Issue： 1/2  Page： 55-59  Publication year： Jul. 03, 2000 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *LPCVD ,...
Semi thesaurus term： hydroxylation

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 低圧化学蒸着 ,  ナノメータ ,  スケール ,  シリコン ,  ドット ,  自己集合